式中，飛 是瞬時正弦半波輸入電壓 。當(dāng)導(dǎo)通時間國定時，關(guān)斷時間與凡  有關(guān)并按式   C  15.18)改動。因而頻率 隨著正弦半波電壓飛 改動。電感L 的值要設(shè)計得相當(dāng)小 ，但要可以接受請求的輸出功率下的尖峰電流 。關(guān)于大電感（ 超越 lmH   的），當(dāng)電流超越 2A   時還不會飽和 。這種電感不但體積大 ，本錢也很高 。因而有

電壓最小時電流最大 。vnns 和 Inns 分別表示電壓有效值的最小值和電流有效值的最大值 。

式中，弘 是電壓為旦旦 時 60Hz  電網(wǎng)輸入電流的峰值。但是由圖 15.12  C c） 可知，由于一個 開關(guān)周期的電流均勻值僅僅是（ 1/2）／肉’ 因而／pkt  = 2/pk  ’  或可表示為2.82PI  ＝逐個 二 C 15.19)pkt EVrrns這是電壓為 vnns 時，在輸入正弦半波峰值處的開關(guān)管電流峰值 。在正弦半波的峰值時辰 導(dǎo)通開關(guān)管MOS管跨導(dǎo)主要作用 ，則流過晶體管的電流按一定的斜率上升到飛Ton]pkt 氣一式中，飛＝1.41旦墜 ’  因而L 為

由式 C 15.19） 可得

如今假定正常狀況下 ，最小和最大的輸入電壓有效值分別為120V、92V 和 138V。當(dāng)vnns=92V,   P., = 80W,   E=0.95 時，有(92)2 ×0.95TL I  = on  = 50T ( 15.21)2 ×80 on如 果 選 擇 幾 為 10陽，則由 式 C 15.21 ） 可 得 L = 500 μH ，而／pkt = 1.41×92×10× 10勺（500×10-6) = 2.59A ，這個峰值電流相對來說比擬適宜。boost 輸出電壓必需大于最大線輸入電壓的峰值 。當(dāng) Vans = 138V  時，正強(qiáng)波峰值為 1.41×138 = 195V ，假如 boost 電壓不能高于這個電壓，則由式 (15.18 ） 可知關(guān)斷時間將很大 ， 導(dǎo)通時間和頻率就會很小 。關(guān)于較高的  boost   電壓，這么大的頻率改動將使開關(guān)管在關(guān)斷時接受較高的電壓應(yīng)力且二極管 D5  的反向恢復(fù)時間問題會變得很嚴(yán)重 。因而，在低網(wǎng)壓 （ 92V ） 時，正弦波峰值是 1.41×92 =129V 。假如輸出升到 245V ，由式 (15.18 ） 可得 ，關(guān)斷時間 Toft  = Ton  n  ／（飛  Vin ) =10 ×129/(245一 129) = 11.lμs ，使得開關(guān)周期 變?yōu)?21.1陽，即頻率為 48kHz 。但是高網(wǎng)壓 VAC = 138V 時，V;0 = 1.41×138 =195V ，當(dāng)正弦半 波到達(dá)峰值時由式 05.18 ） 可得 T.,ff = 1',,n n /(V0 -l乍） 10×195/(245-195) = 39μs 。開關(guān)頻率 將；電 1／（丑。＋T0ff ) = 20kHz 。頻率從92V 網(wǎng)壓峰值時的 48撾Iz 到 138V 網(wǎng)壓峰值時的 20kHz 的改動是不允許的。但是，單個正弦半波周期內(nèi)的開關(guān)頻率改動量更大。假定 VAC  = 92V ，井且被升壓到245V,

由前面的剖析可知，正強(qiáng)半波到達(dá)峰值時的開關(guān)頻率為 48kHz 。如今計算正弦半波接近谷點(diǎn)（ 普通在相位為 10。的中央） 時的開關(guān)頻率 。在 92V 交流電網(wǎng)的相位 10。處飛＝l.41x 92sin10 =23V ，由式 （ 15.18） 得ξff = Ton ×23/(245 -23) = 0.1凡 ，這時的開關(guān)頻率為 1/10.1= 99kHz。這種隨著交流輸入電壓變化開關(guān)頻率也隨之變化 ，特別是 120Hz 正弦半波從瞬時高到低 變化時開關(guān)頻率也變化的現(xiàn)象 ，會惹起 RFI/EMI 問題，由于它包含很寬的頻譜 。固然如此， MC34261  芯片在整個工業(yè)范疇里仍已被普遍承受 。