IRLML6401場效應(yīng)管,IRLML6401參數(shù)資料,IRLML6401引腳圖,IRLML6401中文資料規(guī)格書PDF
IRLML6401/SOT-23封裝參數(shù)：點(diǎn)擊查看
IRLML6401場效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
極性：PNP
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：-12V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±8V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：-4.3A
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=100℃：-3.4A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：1.3W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-4.3A,VGS=-4.5V：Max 50mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-2.5A,VGS=-2.5V：Max 85mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
IRLML6401場效應(yīng)管/SOT-23封裝尺寸：
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