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    8. MOSFET驅(qū)動參數(shù),最小門極電阻計算介紹
      • 發(fā)布時間:2023-01-30 15:49:03
      • 來源:
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      MOSFET驅(qū)動參數(shù),最小門極電阻計算介紹
      在《IGBT以及MOSFET的驅(qū)動參數(shù)的計算方法》該應(yīng)用指南中由 Eq.6 得到了門極電流 i(t)i(t) 不振蕩的阻尼條件 Eq.7,并以此得出了電流波形不振蕩的最小門極電阻的計算公式。
      然而,該應(yīng)用指南并未講述如何推導(dǎo)出 Eq.7,故寫此文列出推導(dǎo)過程,如下:
      由 Eq.6 可知串聯(lián) RLC 電路的特征方程為:
      MOSFET 門極 電阻
      特征根為:
      MOSFET 門極 電阻
      奈培頻率為:
      MOSFET 門極 電阻
      諧振頻率為:
      MOSFET 門極 電阻
      為了保證門極電流 i(t) 不振蕩,則電流響應(yīng)應(yīng)為過阻尼,既有:
      MOSFET 門極 電阻
      綜上所述,可得:
      MOSFET 門極 電阻
      至此,Eq.7 得證。
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